Autor: COSTA, H.A

Orientador: DE OLIVEIRA, A .G

Outros autores: RIBEIRO, G.M; DA SILVA, R.L; ALBUQUERQUE, H.A;;

Linhas de pesquisa no CNPq: CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA / FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

Unidade: INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATAS
Departamento: FISICA

Palavras-Chave: SEMICONDUTORES - PONTOS QUÂNTICOS - MEDIDAS ELÉTRICAS

Neste trabalho realizamos medidas de curvas corrente versus tensão (I-V) em uma amostra de multicamadas de pontos quânticos de InAs auto-organizados crescida por Epitaxia por feixe molecular (MBE) sobre um substrato de GaAs. Os parâmetros de crescimento da amostra foram: Numero de repetições da interface GaAs/InAs: 100; Espessura da camada de InAs em unidades de monocamadas de GaAs: 1.9ML; Espessura da camada de GaAs entre duas camadas de InAs: 30ML. As medidas foram realizadas utilizando-se um criostato de dedo frio. A temperatura da amostra foi variada na faixa de 300K A 10K. Nestas medidas observamos dois principais comportamentos para a corrente em função da voltagem: Para voltagens pouco acima de 0V até 140V observamos um processo típico de avalanche de ionização por impacto, acima de 140V observamos uma saturação da corrente. Para alguns valores da temperatura, o primeiro regime apresenta condutividade diferencial negativa (NDC) do tipo 'S' ou 'N'.

Apoio: FAPEMIG, FINEP, FUNDEP, CNPQp>