Autor: COTTA, E. A.

Orientador: MATINAGA, F. M.

Outros autores: FONSECA, P F C [IC/FAPEMIG];; RODRIGUES, W. N.;

Linhas de pesquisa no CNPq: CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA / TRANSPORTE ELETRÔNICO E PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE SUPERFÍCIES; INTERFACES E PELÍCULAS

Unidade: INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATAS
Departamento: FÍSICA

Palavras-Chave: ELETROLUMINESCÊNCIA - JUNÇÕES P-I-N - GAAS

O objetivo do projeto é fabricar estruturas injetoras de corrente spin-polarizada. Para tal serão exploradas propriedades de afinidade eletrônica negativa da interface Cs-GaAs e a polarização circular da emissão. Serão fabricados diodos p-i-n de GaAs (311) dopados com Si, por MBE. Um primeiro tipo de diodo recebeu um contato tradicional não magnético, sendo utilizado In e InZn como contato. As propriedades elétricas e ópticas dessa estrutura foram estudadas. Um segundo tipo de diodo será fabricado com um contato de Fe, conhecido por fornecer um certo grau de polarização de spin da corrente. A polarização de spin é certificada pelo grau de polarização circular da luz eletroluminescente da junção. Um terceiro tipo de diodo receberá um contato de Cs e Al, que esperamos apresentar um alto grau de spin-polarização da corrente. O primeiro tipo de diodo já foi fabricado e caracterizado, tanto do ponto de vista elétrico quanto óptico. Esses resultados serão apresentados. O segundo tipo está sendo processado agora e se tornará referência para a fabricação e análise no dispositivo final.

Apoio: FAPEMIGp>