Autor: BATALHA, L.A.R

Orientador: PORTO, A.O

Outros autores: PEREIRA, A G [IC/CNPQ];; DE LIMA, G.M.; SIEBALD,H.L;

Linhas de pesquisa no CNPq: CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA / FÍSICO-QUÍMICA

Unidade: INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATAS
Departamento: QUÍMICA

Palavras-Chave: PIRÓLISE - ORGANOESTÂNICOS - SEMICONDUTORES

A preparação sob condições controladas de novos materiais com propriedades optoeletrônicas e elétricas bem definidas tornou-se uma das principais metas da chamada "ciência dos materiais". No processo de obtenção, o controle do tamanho das partículas é de extrema importância, uma vez que partículas sub-micrométricas são aplicadas em optoeletrônica, células fotovoltaicas e solares. 1 O Dióxido de estanho (SnO2) apresenta transparência ótica e alta condutividade elétrica ; e é utilizado como sensor de gases e eletrodo. Filmes de Sn tem sido formados a partir de SnH4, Sn(CH3)4, Sn(n-Bu)4, EtSnH3 e Br2Sn(n-Bu)2 e a cinética de decomposição do SnH4 tem sido estudada detalhadamente2. Neste trabalho, precursores organoestânicos do tipo Sn3O3R6 e Sn4O6R4 (onde R= Metila, Butila e Fenila}, foram sintetizados e decompostos sob diferentes atmosferas (N2, O2 e ar sintético). Os resíduos da decomposição foram caracterizados quimicamente e morfologicamente através de Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Difração de Raios-X (XRD), Espectroscopia Mössbauer e Microssonda. Os resultados obtidos mostraram que sob atmosfera de O2, o resíduo formado é SnO2 nanométrico e sob as outras duas atmosferas, o resíduo é constituído de uma mistura de SnO2/SnO. Dos compostos organoestânicos estudados o Sn3O3Bu6 foi o que apresentou maior rendimento para a conversão em SnO2 3. M.A.Marcus, W.Flood, M.Stiegerwald, L.Brus e M. Bawendi, J Phys.Chem. 1991, 94, 1572. H.K.Shin, M.J. Hampden-Smith and T.T.Kodas, unpublished results. A G.Pereira, A O Porto, G.G.Silva, G.M. de Lima, H.G.L. Siebald, J.L.Neto, Phys. Chem. Chem. Phys. 4, 4528-4532, 2002.

Apoio: CNPq e Third World Academy of Sciencesp>