Determinação da interdependência de parâmetros estruturais de nanoestruturas, utilizando microscopia de força atômica e espalhamento de raios-X sob incidência rasante. Esse é o nome do projeto desenvolvido no Departamento de Física da UFMG, que pretende contribuir para o desenvolvimento de novos materiais semicondutores para a área de computação. Em parceria com o laboratório de pesquisas da Hewlett Packard (HP) nos Estados Unidos, com o Laboratório Nacional de Luz Síncrotron em Campinas e o European Synchrotron Radiation Facility na França, a equipe do Departamento de Física da UFMG analisou dois sistemas de nanoestruturas, compostas de Germânio e Silício, que podem ser utilizados na fabricação de dispositivos eletrônicos cada vez menores. O projeto vem contribuir para um processo de miniaturização dos dispositivos eletrônicos, ou seja, a busca do menor tamanho e do limite, para que um material funcione como dispositivo. "O próximo passo desejado por nós é adquirir a tecnologia para a fabricação desse tipo de material, no Brasil, através da Rede Nano, e deixar de ser o grupo que só caracteriza os novos materiais, mas também o grupo que fabrica", completa Paniago. O projeto conta com gerenciamento da Fundep e é financiado pela Fapemig, pelo CNPq e pelos Laboratórios da HP. Técnicas Segundo o coordenador do projeto, o professor Rogério Magalhães Paniago, a equipe aperfeiçoou a técnica de espalhamento de raios-X, desenvolvendo uma técnica de espalhamento anômalo, capaz de analisar a composição química e a variação de estrutura atômica de materiais, e foi o primeiro grupo no mundo a conseguir fazer a caracterização química de uma nanoestrutura dessa categoria. Paniago explica que, toda vez que é fabricado um material, a primeira pergunta que se faz diz respeito ao que é esse material. "É comum as pessoas pensarem que quando se sintetiza um novo material, sabe-se exatamente o que é aquele material. Mas isso não é verdade. Existe uma série de técnicas para analisar o material e determinar do que se trata", afirma. Na área de nanociência existem várias de técnicas para análise de novos materiais, como a microscopia eletrônica, a microscopia de tunelamento e as técnicas de difração ou espalhamento de raio-X. Para a análise dos dois sistemas de nanoestruturas desenvolvidos pela HP foram necessárias duas técnicas. O pesquisador Gilberto Medeiros fez, nos laboratórios da HP, as medidas de microscopia de tunelamento, ou seja, uma medida de superfície, que permite visualizar cada átomo da estrutura. O professor Rogério Paniago acrescenta que, após essas medidas restaram duas perguntas. "A primeira é qual é o átomo? Ou seja, qual sua composição química? A segunda é o que está dentro da nanoestrutura? Visto que a microscopia de tunelamento só vê a superfície e não permite que se saiba o que há dentro da estrutura. Nesse ponto adotamos a técnica de espalhamento de raio-X, que vai determinar exatamente qual é a estrutura atômica e a composição química da nova estrutura", esclarece. A técnica pode fornecer um mapa das nanoestruras e indicar quais suas concentrações de Germano e Silício. (Gerência de Comunicação da Fundep)