O Centro de Microscopia da UFMG recebe, até esta sexta-feira, 28 de novembro, propostas de pesquisa para serem desenvolvidas em suas instalações. As propostas para as áreas biológica e de materiais deverão ser encaminhadas, respectivamente, para vida@microscopia.ufmg.br e para materiais@microscopia.ufmg.br, juntamente com o formulário disponível no site do Centro, devidamente preenchido. Elas serão avaliadas pela Coordenação Técnico-Científica. O Centro dispõe de quatro microscópios, três deles com capacidade de ampliação em até 1 milhão de vezes. Outros equipamentos para preparação de amostras estão sendo adquiridos pelo Centro e serão estarão disponíveis em 2009. O treinamento para a aplicação de técnicas de tomografia, EBSD e análises quantitativas de EDS, bem como para a utilização do Microscópio dual de feixe iônico e eletrônico, será oferecido a partir do início de 2009. O treinamento para a aplicação de técnicas de ultramicrotomia e crioultramicrotomia já está disponível. Estes são os equipamentos em operação no Centro de Microscopia da UFMG: ● Microscópio Eletrônico de Transmissão de 200 kV Tecnai G2-20 (FEI) ● Microscópio Eletrônico de Transmissão de 120 kV Tecnai G2-12 Spirit ● Microscópio Eletrônico de Varredura de alta resolução, com canhão de ● Microscópio dual de feixe iônico e eletrônico, com canhão de emissão
De 200 kV, variável até 100 kV; filamento termoiônico; porta-amostras single-
tilt e double-tilt de berílio, para EDS, e de tomografia; software para difração e
tomografia; câmera CCD e câmera de negativos, com resolução de linha de
0,24 nm, resolução de ponto de 0,10 nm e aumento de 25 x a 1.100.000 x.
(FEI)
De 120 kV, contínuo, em passos de 10 V e de 20 V a 120 kV, de alto
contraste; filamento termoiônico; porta-amostras single-tilt; software para
tomografia; câmera CCD, com resolução de linha de 0,34nm, resolução de
ponto de 0,49 nm e aumento de 22 x a 300.000 x.
emissão por efeito de campo Quanta 200 FEG (FEI)
De 200 V a 30 kV; corrente do feixe maior que 100 nA; resolução de 1,6 nm
a 30 kV, em alto vácuo, e de 3,5 nm a 3 kV, em baixo vácuo, e modo
ESEM™; distância focal de 3 mm a 99 mm; aumento de 12 x a 1.000.000 x;
detector de elétrons secundários para alto e baixo vácuos; detector de
elétrons retroespalhados; detector STEM; detector integrado de EDS e
EBSD.
por efeito de campo Quanta 3D dual FIB (FEI)
De 200 V a 30 kV; corrente do feixe >100 nA; resolução de 0,85 nm a 30 kV
em alto vácuo, e de 2,0 nm a 3 kV, em baixo vácuo, e modo ESEM™;
distância focal de 3 mm a 99 mm; aumento de 12 x a 1.000.000 x; detector de
elétrons secundários para alto e baixo vácuos; detector de elétrons
retroespalhados; canhão de íons de gálio, gases de platina e carbono.